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題 名 | 次微米互補式金氧半積電路之靜電放電防護--傳輸線觸波技術應用篇=ESD Protection for Submicron CMOS IC's--Application of Transmission-Lin-Pulsing Technique |
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作 者 | 柯明道; 陳東暘; | 書刊名 | 電腦與通訊 |
卷 期 | 62 1997.09[民86.09] |
頁 次 | 頁84-96 |
專 輯 | 積體電路設計專輯 |
分類號 | 448.57 |
關鍵詞 | 傳輸線觸波; 傳輸線觸波產生器; 靜電放電; 靜電放電防護元件; 靜電放電防護電路; 一次崩潰區; 二次崩潰點; 二次崩潰電流; Transmission line pulsing; TLP; Transmission line pulsing generator; TLPG; Electrostatic discharge; ESD; ESD protection device; ESD protection circuit; Snapback breakdown region; Secondary breakdown point; Secondary-breakdown current; It[feaf]; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 在製程技術不斷精進的今日,互補式金氧半積體電路( CMOS IC )已達到了深次 微米( Deep Submicron )的領域, 但其因靜電放電( ESD )而損傷的問題越來越嚴重。 一方面為了要了解靜電放電防護元件( ESD Protection Device )之物理特性, 一方面更 為了能在晶片製作完成之初,即能先了解產品之靜電放電的承受能力,以降低包裝及測試成 本並增加產品的研發效率,在先進的 IC 公司或半導體廠中,傳輸線觸波產生器( TLPG ) 已被架設用來量測元件之二次崩潰點( Secondary Breakdown Point ), 並和靜電放電標 準測試模式互相參照比較。 在由理論的探討及實際的量測結果,可得知元件的 ESD 耐壓能 力與其二次崩潰點的電流成正比的線性關係,因此元件的二傰潰電流( It �砥^,已被認定 為靜電放電防護能力的表示方式之一。 在本文中,先簡介元件的二次崩潰特性,然後介紹傳輸線觸波的原理,再來,講解傳輸線觸 波產生器的組裝,最後對所裝設的傳輸線觸波產生器的驗證及其應用做一說明。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。