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題 名 | 功率電晶體IC之ESD破壞分析及保護電路設計 |
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作 者 | 陳勝利; 李文明; 朱季齡; 梁明侃; 江志強; 嚴成凡; | 書刊名 | 電力電子技術 |
卷 期 | 53 1999.10[民88.10] |
頁 次 | 頁54-61 |
分類號 | 448.57 |
關鍵詞 | 靜電放電; 人體模型; 機器模型; 元件帶電模型; Electrostatic discharge; ESD; Human body model; HBM; Machine model; MM; Charged device model; CDM; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本論文將探討無靜電放電(ESD)保護電路設計之VDMOS功率電晶體IC,受HBM、MM、 CDM三種靜電放電模式破壞後,造成結構上的變化。從故障點的微光顯微鏡分佈圖及掃瞄式 電子顯微鏡橫截面圖可知,HBM與MM易造成源極n+區域發生F-N穿透;CDM的放電模式,易 造成近閘極的源級金屬穿透介電氧化層與基板發生互熔。最後為了提高功率電晶體IC之ESO 能力,將可採用複晶矽Zener二極體靜電保護電路。之一是在閘極與源極間串聯一組背對背 的Zener二極體;另一種防護更加周到,其保護電路是由power MOSFET及分別是在閘極和汲 極、閘極與源極間,分別串聯一組Zener二極體所組成。 |
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