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題 名 | 摻雜濃度對矽鍺異質接面雙載子電晶體直流電氣特性影響之研究=A Study on DC Electricity Characteristic of SiGe HBT by Different Doping |
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作 者 | 陳啟文; 楊鎮澤; 何彥慶; 傅遠良; 謝建成; 李傳英; 葉德強; | 書刊名 | 明新學報 |
卷 期 | 33 2007.07[民96.07] |
頁 次 | 頁283-309 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 矽鍺異質接面雙載子電晶體; 崩潰電壓; 摻雜濃度; 電流增益; 自發熱效應; SiGe HBT; Breakdown voltage; Doping; Current gain; Self-heating effect; |
語 文 | 中文(Chinese) |