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題 名 | High-Breakdown Characteristics of the InAlAsSb/InGaAs/InP Heterostructure Field-Effect Transistor=砷銻化銦鋁/砷化銦鎵/磷化銦異質結構場效電晶體之高崩潰電壓特性 |
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作 者 | 簡信裕; 吳昌崙; 許渭州; 蘇建信; 林蔚; | 書刊名 | 吳鳳學報 |
卷 期 | 6 1998.06[民87.06] |
頁 次 | 頁75-80 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 有機金屬化學汽相沉積法; 異質結構場效電晶體; 蕭基位障; 崩潰電壓; MOCVD; HFET; Schottky barrier height; Breakdown voltage; |
語 文 | 英文(English) |