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來源資料
電光先鋒
21 2012.12[民101.12]
頁9-13
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題 名
利用Nano-pattern製作氮化鎵高電子遷移率電晶體
作 者
邱霆宇
;
林素芳
;
郭威宏
;
胡智威
;
宣融
;
書刊名
電光先鋒
卷 期
21 2012.12[民101.12]
頁 次
頁9-13
分類號
448.552
關鍵詞
氮化鎵
;
高電子遷移率
;
電晶體
;
GaN
;
語 文
中文(Chinese)
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