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| 題 名 | 覆晶於氮化鋁基板上具高電子遷移率之氮化鋁鎵/氮化鎵電晶體對靜電放電防護力研究=Flip-Chip AlGaN/GaN Transistors with High Electron Mobility on AIN Substrates against ESD Protection |
|---|---|
| 作 者 | 鄭南宏; 張連璧; | 書刊名 | 新新季刊 |
| 卷 期 | 51:1 2023.01[民112.01] |
| 頁 次 | 頁189-197 |
| 分類號 | 448.653 |
| 關鍵詞 | 高電子遷移率電晶體; 覆晶; 靜電放電; 氧化鋁鎵; 氮化鎵; High electron mobility transistor; HEMT; Flip chip; Electrostatic discharge; AlGaN; GaN; |
| 語 文 | 中文(Chinese) |