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來源資料
新新科技年刊
20 2024.01[民113.01]
頁253-263
材料化學
>
半導體
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題 名
氮化鎵射頻元件開發=Development of Gallium Nitride (GaN) RF Devices
作 者
林朝瑋
;
林俊安
;
鍾德儒
;
張倍榕
;
陳志典
;
翁炳國
;
張國仁
;
古建德
;
楊世國
;
書刊名
新新科技年刊
卷 期
20 2024.01[民113.01]
頁 次
頁253-263
分類號
349.32
關鍵詞
氮化鎵
;
高電子遷移率電晶體
;
碳化矽
;
射頻功率元件
;
功率放大器
;
GaN
;
HEMT
;
SiC
;
Radio-frequency power device
;
Power amplifier
;
語 文
中文(Chinese)
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