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題名 | 碳化矽(SiC)--次世代電光材料元件及技術之發展趨勢 |
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作者 | 程一誠; 李大青; 彭超群; | 書刊名 | 新新季刊 |
卷期 | 40:1 2012.01[民101.01] |
頁次 | 頁135-145 |
分類號 | 440.34 |
關鍵詞 | 碳化矽; 晶體生長; 功率電子; 氮化鎵; 綠能; |
語文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 碳化矽(SiC, Silicon Carbide)優異的寬能隙半導體特性,將是未來使用在高溫、大功率、高頻電子元件與高亮度發光二極體等最理想的半導體材料之一。身為下世代電光元件的關鍵材料,晶體生長與元件開發將主掌系統諸如綠能節能產業、主動電子掃描陣列、電動車等的發展成敗關鍵。本文除了介紹SiC的晶體生長與各類元件的磊晶製程發展外,並簡述世界各國積極進行SiC相關的研發現況,期使未來在軍民通用技術開發規劃之參考。 |
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