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| 題 名 | 氮化鎵射頻元件技術發展現況=A Survey on Technological Development of RF GaN Device |
|---|---|
| 作 者 | 許智超; | 書刊名 | 新新季刊 |
| 卷 期 | 50:4 2022.10[民111.10] |
| 頁 次 | 頁152-161 |
| 分類號 | 448.65 |
| 關鍵詞 | 氮化鎵; 射頻; 分離式高電子遷移率電晶體; 毫米波; GaN; Radio frequency; RF; Discrete HEMT; mmWaves; |
| 語 文 | 中文(Chinese) |