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題 名 | 利用分子束磊晶成長高銦含量氮化銦鎵之太陽能薄膜材料=Growth of In-rich InGaN Films of Solar-cell Material by Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy |
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作 者 | 王彥欣; 霄玟佑; 龔峻弘; 陳偉立; 蕭文澤; | 書刊名 | 台電工程月刊 |
卷 期 | 758 2011.10[民100.10] |
頁 次 | 頁66-79 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 電漿輔助分子束磊晶法; 氮化銦鎵; 原子力顯微鏡; 光致螢光; X光繞射儀; Plasma-assisted molecular-beam epitaxy; PA-MBE; InGaN; Atomic force microscopy; AFM; Photoluminescence; PL; X-ray diffraction; XRD; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 摘 要 本文利用電漿輔助分子束磊晶法(PA-MBE)於氮化鎵基材上直接成長高銦含量氮化 銦鎵(InGaN)薄膜。首先成長銦含量80%的氮化銦鎵薄膜,基板溫度分別為525°C、550°C 和575°C,探討溫度對氮化銦鎵薄膜的影響。當磊晶溫度從525°C 升到550°C 時,由原 子力顯微鏡(AFM)得知表面粗糙度從2.63 nm 降低到0.8 nm,而低溫14K 的光致螢光 (Photoluminescence, PL)半高寬從80.60 meV 降低到47.71 meV,兩者均顯示薄膜品質的提 升。此外,利用X 光繞射儀(X-ray diffraction, XRD)量測倒置空間譜圖來分析氮化銦鎵與 氮化鎵基材的應變關係,並藉由應變程度來計算出更精準的銦含量。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。