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題 名 | InGnN/GaN多層量子井之顯微組織研究=Study on Microstructures of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells |
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作 者 | 林彥勝; 徐鎮; 馬廣仁; 楊志忠; | 書刊名 | 中正嶺學報 |
卷 期 | 30:1 2001.10[民90.10] |
頁 次 | 頁95-104 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 氮化銦鎵; 量子井結構; 增幅分解反應; 相分離; V型缺陷; InGaN/GaN; Quantum well structures; Spinodal decomposition; Phase separation; V-shape defect; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | InGnN/GnN多層量子井光學行為將受到銦組成變化、析出物分布、及結構缺陷等因素而影響,本文已針對這些微觀結構進行一系列的探討。本研究係採用金屬基化學氣相沉積法(MOCVD)成長15%∼25%銦含量的氮化銦鎵多層量子井結構。 研究結果顯示,增幅分解反應(Spinodal Decomposition)形成不同銦含量的富銦相,而且富銦相隨著銦含量降低而具有較細的組織結構,且傾向聚集於氮化銦鎵多層量子井邊緣;當銦含量增加時,其量子井將變的較不明顯且富銦相於氮化鎵層內析出。另外,本研究亦觀察到直徑約5 nm至10 nm之富銦相析出物傾向於在V形缺陷周圍附近析出。 |
英文摘要 | The microstructure variations with indium composition, aggregation distribution, and various microstructure defects have been analyzed for further understanding the optical properties of InGaN/GaN MQWs. The results showed that spinodal decomposition occurs in InGaN/GaN MQWs with indium content in the range of 15∼25%, grown with MOCVD. At lower nominal indium content of the InGaN MQWs sample, relatively fine indium-rich aggregations and indium-rich clusters formed near In GaN QWs. With increasing indium contents, the indium-rich aggregates extended into the GaN barriers, and therefore the InGaN/GaN interfaces are becoming more obscure. On the other hand, it was observedthat some of indium-rich precipitates with diameter ranging from 5 to 10 nm are prefer aggregating near V-shape defects. |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。