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| 題 名 | 一種便宜與快速之準分子雷射正、背面退火矽膜表面粗糙度快速光學檢測系統研製 |
|---|---|
| 作 者 | 郭啟全; 陳奕瑞; | 書刊名 | 電子月刊 |
| 卷 期 | 17:10=195 2011.10[民100.10] |
| 頁 次 | 頁190-209 |
| 分類號 | 448.59 |
| 關鍵詞 | 光學檢測系統; 低溫多晶矽薄膜; 表面粗糙度; |
| 語 文 | 中文(Chinese) |
| 中文摘要 | 低溫多晶矽薄膜被視為製作低溫多晶矽薄膜電晶體之關鍵材料,由於低溫多晶矽薄膜表面粗糙度值會影響低溫多晶矽薄膜電晶體之電性,因此運用低溫多晶矽薄膜製作低溫多晶矽薄膜電晶體前,量測低溫多晶矽薄膜之表面粗糙度值,成為重要之研究方向。傳統量測低溫多晶矽薄膜之表面粗糙度值方法為使用原子力顯微鏡與掃描式電子顯微鏡,然而這一些量測方法之缺點包括無法於製程上進行即時檢測、量測前之前置作業時間長、量測設備環境要求嚴謹以及量測速度慢。為了解決此問題,本研究發展一套可用於製程上進行即時檢測、便宜與快速之低溫多晶矽薄膜表面粗糙度光學檢測系統,藉由檢測光源檢測不同準分子雷射能量密度退火矽膜後之試片,來研究準分子雷射正、背面退火矽膜之再結晶結果差異性。研究結果顯示,量測角度20°為量測低溫多晶矽薄膜表面粗糙度之最佳量測角度,y=-0.9369x+1.0267為預測低溫多晶矽薄膜表面粗糙度之趨勢方程式,非晶矽膜厚度90 nm之準分子雷射正、背面退火所製作出之矽薄膜表面粗糙度值(y),可藉由雷射功率(x)計算,低溫多晶矽薄膜表面粗糙度值之最大量測誤差率可控制在6.21%之內,檢測時間節省效率高達83%。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。