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題名 | 深反應性離子蝕刻技術與三維積體電路 |
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作者 | 彭俊翔; | 書刊名 | 電子月刊 |
卷期 | 17:9=194 2011.09[民100.09] |
頁次 | 頁122-135 |
專輯 | IC製程技術專輯 |
分類號 | 448.57 |
關鍵詞 | 深蝕刻; 乾蝕刻製程; 三維積體電路; |
語文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 在目前的半導體製造技術中所謂的「三維時代」雖然無人可以斷言什麼時候會到來,但是未來產業界的脈動朝這個方向前進,這是各界所公認不可抵檔的趨勢。深蝕刻技術、導線填孔(Via Filling)、晶圓薄化(Wafer Thinning)、薄晶圓處理(Thin Wafer Handling)以及晶圓接合(Wafer Bonding)等是實現三維晶片的關鍵技術,也是許多產學研人士正在埋首研究中的課題。此領域一般較令產業界人士裹足不前的因素,在於至今技術面仍然呈現百家爭鳴的局面,對於最終到底何種解決方案會最可被廣泛接受而成為主流尚未有明確定論。這以向來奉標準化為一貫原則的半導體生產思維來看,是還有很長的一段路要走的。但無論最終何者技術會出線,利用深蝕刻技術所製造的矽穿孔(Through Silicon Via, TSV)結構,幾乎必定會在每一個提到3D技術的場合中頻繁的出現。本文旨在為業界先進就深反應性離子蝕刻技術進行概要性的介紹,並說明三維積體電路中矽穿孔應用實例,祈能對有需求者帶來有價值的參考資訊。 |
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