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來源資料
奈米通訊
18:2 2011.06[民100.06]
頁14-19
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(110)基板上之P型穿隧式場效電晶體
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題 名
(110)基板上之P型穿隧式場效電晶體=P-type Tunneling FETs on (110) Substrate
作 者
高證穎
;
曾偉寧
;
沈正都
;
羅廣禮
;
李敏鴻
;
書刊名
奈米通訊
卷 期
18:2 2011.06[民100.06]
頁 次
頁14-19
分類號
448.552
關鍵詞
方向
;
穿隧
;
次臨界擺幅
;
Orientation
;
Tunneling
;
Subthreshold swing
;
語 文
中文(Chinese)
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