頁籤選單縮合
題 名 | 低溫多晶矽膜再結晶特性與晶粒尺寸之光學檢測系統研發 |
---|---|
作 者 | 郭啟全; 趙金聖; | 書刊名 | 電子月刊 |
卷 期 | 17:3=188 2011.03[民100.03] |
頁 次 | 頁162-178 |
分類號 | 448.59 |
關鍵詞 | 低溫多晶矽膜; 晶粒尺寸; 再結晶特性; 光學檢測系統; 準分子雷射退火; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 運用準分子雷射結晶技術(Excimer Laser Crystallization, ELC)來製作低溫多晶矽膜(low-temperature polycrystalline silicon, LTPS)已經成為主流。於所製作出的低溫多晶矽膜中,多晶矽晶粒尺寸(grain size)為再結晶特性(recrystallization characterization)一個重要的指標,目前常用於量測低溫多晶矽晶粒尺寸的技術有掃描式電子顯微鏡(Scanning Electron Microscopy, SEM)與高解析度穿透式電子顯微鏡(High-Resolution Transmission Electron Microscopy, HR-TEM),此兩種技術均屬於破壞性(destructive)檢測技術以及無法運用於製程上檢測,因此研發非破壞性(non-destructive)以及可以運用於製程上進行即時檢測,即變成一個非常重要的研究方向。本研究運用He-Ne雷射(λ=632.8 nm)為檢測光源(probe laser),搭配光學檢測系統,發展一套低溫多晶矽膜之晶粒尺寸與再結晶特性之光學檢測技術,藉由檢測光源經過不同準分子雷射能量密度照射矽膜後圖樣(pattern)之不同熔化區域(regime),觀察穿透率變化與峰值強度,進而推測出低溫多晶矽膜之再結晶特性與晶粒尺寸。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。