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| 題 名 | 堆疊式高介電層與金屬閘極之金氧半元件電性研究=Electrical Characteristics of MOS Devices with High-K Dielectric and Metal Gate Stacks |
|---|---|
| 作 者 | 傅崇豪; 張廖貴術; 王義文; 簡伯諺; 吳文發; | 書刊名 | 奈米通訊 |
| 卷 期 | 16:1 2009.03[民98.03] |
| 頁 次 | 頁18-24 |
| 專 輯 | 奈米電子 |
| 分類號 | 448.552 |
| 關鍵詞 | 堆疊式高介電層; 氧化鋁鉿; 矽酸鉿氧化合物; 金屬閘極; 高功函數; 氮化鉬; 氮化鈦; High-K dielectric stack; HfAlO; HfSiO; Metal gate; High work function; MoN; TiN; |
| 語 文 | 中文(Chinese) |