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題名 | 不同矽膜厚度與預熱溫度之再結晶特性研究=Effects of Si Film Thickness and Substrate Temperature on Recrystallization Behavior in Excimer Laser Crystallization |
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作者姓名(中文) | 郭啟全; | 書刊名 | 工業材料 |
卷期 | 260 2008.08[民97.08] |
頁次 | 頁150-160 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 非晶矽膜; 熔化時間; 準分子雷射退火; 預熱; 光學檢測; Amorphous silicon; Melt duration; Excimer laser annealing; ELC; Substrate heating; Optical measurements; |
語文 | 中文(Chinese) |