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題名 | Ohmic Contacts and Reactive Ion Beam Etching for P-Type GaN=P型氮化鎵之歐姆式接觸與活性離子蝕刻 |
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作者 | 莊賦祥; 張守進; 蘇炎坤; 陳建助; 許進恭; Juang, Fuh-shyang; Chang, Shoou-jinn; Su, Yan-kuin; Cheng, Chien-chu; Cheu, Jin-kon; |
期刊 | Journal of the Chinese Institute of Electrical Engineering |
出版日期 | 200008 |
卷期 | 7:3 2000.08[民89.08] |
頁次 | 頁203-210 |
分類號 | 448.552 |
語文 | eng |
關鍵詞 | 歐姆接觸; 活性離子蝕刻; 氮化鎵; 歐傑光譜; 原子力顯微鏡; Ohmic contacts; Auger spectroscopy; Gallium nitride; Reactive ion beam etching; Atomic force microscopy; |