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| 題 名 | Ohmic Contacts and Reactive Ion Beam Etching for P-Type GaN=P型氮化鎵之歐姆式接觸與活性離子蝕刻 |
|---|---|
| 作 者 | 莊賦祥; 張守進; 蘇炎坤; 陳建助; 許進恭; | 書刊名 | Journal of the Chinese Institute of Electrical Engineering |
| 卷 期 | 7:3 2000.08[民89.08] |
| 頁 次 | 頁203-210 |
| 專 輯 | Electro-optical Engineering |
| 分類號 | 448.552 |
| 關鍵詞 | 歐姆接觸; 活性離子蝕刻; 氮化鎵; 歐傑光譜; 原子力顯微鏡; Ohmic contacts; Auger spectroscopy; Gallium nitride; Reactive ion beam etching; Atomic force microscopy; |
| 語 文 | 英文(English) |