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- 題 名:
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Proceedings of the National Science Council : Part A, Physical Science and Engineering
- 卷 期:
22:3 1998.05[民87.05]
- 頁 次:
頁410-415
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題 名:
Doped-Channel SiGe Heterostructure Field-Effect Transistor:矽鍺異質結構高平面通道摻雜場效電晶體
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
14:4 2001.12[民90.12]
- 頁 次:
頁32-37
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:3 2000.09[民89.09]
- 頁 次:
頁4-11
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:3 2000.09[民89.09]
- 頁 次:
頁12-18
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:3 2000.09[民89.09]
- 頁 次:
頁19-25
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題 名:
氮化鎵緩衝層對氮化鎵磊晶膜品質之影響:The Effect of GaN Buffer Layer on the Quality of GaN Epilayer
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:3 2000.09[民89.09]
- 頁 次:
頁33-37
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
60 2002.02[民91.02]
- 頁 次:
頁163-165
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題 名:
High Brightness InGaN/GaN MQW Green Light Emitting Diodes with CART and DBR Structures:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
81 2003.03[民92.03]
- 頁 次:
頁18-26
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題 名:
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題 名:
Ohmic Contacts and Reactive Ion Beam Etching for P-Type GaN:P型氮化鎵之歐姆式接觸與活性離子蝕刻
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
7:3 2000.08[民89.08]
- 頁 次:
頁203-210
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
7:1 1994.06[民83.06]
- 頁 次:
頁26-31
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題 名:
氮化鎵基板上成長氧化鋅奈米線:Growth of Epitaxial Needle-like ZnO Nanowires on GaN Films
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
28:1 民95.03
- 頁 次:
頁21-32
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題 名:
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題 名:
GaN-Based LEDs with Air Voids Prepared by One-Step MOCVD Growth:利用單一步驟金屬有機化學沉積方式透過氣縫方式製備氮化鎵基底之發光二極體
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
24:3 2011.09[民100.09]
- 頁 次:
頁42-49
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
19:9=218 2013.09 [民102.09]
- 頁 次:
頁153-163
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
19:11=220 2013.11[民102.11]
- 頁 次:
頁77-89
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
34 1998.12[民87.12]
- 頁 次:
頁38-39
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題 名:
以光激化學氣相沉積系統成長二氧化矽作為砷化鎵金氧半電容之絕緣層:GaAs MOS Capacitors with Photo-CVD SiO[feaf]Insulator Layers
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:3 2004.11[民93.11]
- 頁 次:
頁26-30
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:3 2004.11[民93.11]
- 頁 次:
頁42-50
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:2 2004.09[民93.09]
- 頁 次:
頁19-26