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- 題 名:
High Brightness InGaN/GaN MQW Green Light Emitting Diodes with CART and DBR Structures:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
81 2003.03[民92.03]
- 頁 次:
頁18-26
- 題 名:
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- 題 名:
Ohmic Contacts and Reactive Ion Beam Etching for P-Type GaN:P型氮化鎵之歐姆式接觸與活性離子蝕刻
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
7:3 2000.08[民89.08]
- 頁 次:
頁203-210
- 題 名:
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- 題 名:
氮化鎵基板上成長氧化鋅奈米線:Growth of Epitaxial Needle-like ZnO Nanowires on GaN Films
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
28:1 民95.03
- 頁 次:
頁21-32
- 題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:2 2004.09[民93.09]
- 頁 次:
頁19-26
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- 題 名:
Photoelectric Properties of ZnSe/ZnCdSeTe Superlattice Nanotips:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
1:3 2011.07[民100.07]
- 頁 次:
頁1-7
- 題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
24:1 2011.03[民100.03]
- 頁 次:
頁32-37
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
1:1 2011.04[民100.04]
- 頁 次:
頁31-33
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
20:1 2007.10[民96.10]
- 頁 次:
頁53-55
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
18:3 民94.12
- 頁 次:
頁34-36
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- 題 名:
A Low Leakage Current in SiGe Hetro-junction FET Using by ICP Dry Etching Process:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
18:3 民94.12
- 頁 次:
頁37-41
- 題 名: