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題名 | 超薄氧化層的研製 |
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作者姓名(中文) | 陳佳麟; 趙天生; | 書刊名 | 國科會國家毫微米元件實驗室通訊 |
卷期 | 6:1 1999.02[民88.02] |
頁次 | 頁35-37 |
分類號 | 448.57 |
關鍵詞 | 超薄氧化層; |
語文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本實驗主要的目標在於配合130nm元件製作,開發高品質30-40埃之超薄氧化層, 朝更低漏電流、較高之崩潰電荷、崩潰電場及更低之氧化層介面缺陷密度方向前進。我們引 進新的集結式垂直爐管,利用HF蒸汽模組(HF vapor)去除原始氧化層(native exide),並成長 30-40埃之超薄氧化層,與傳統HF-Dip作比較。我們使用O 及N O兩種氣體在800℃來 成長氧化層。由實驗結果得知,四種方法製作氧化層厚度皆為40埃左右。利用HF蒸汽模 組去除原始氧化層,比利用HFD傳統方法可得較低漏電流及較佳可靠度,以N O成長的 氧化層比以O 成長的氧化層可得較低漏電流及較佳可靠度,其中又以HFV清洗晶片並以 N O成長氧化層可得最佳電特性及可靠性。 |
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