查詢結果分析
來源資料
相關文獻
- Improved Performance and Reliability of MOSFETs with Ultrathin Gate Oxides Prepared by Novel Oxynitridation Technology
- 二個產地臺灣赤楊根瘤固氮放線菌之分離接種及其固氮活性之比較
- 森林生態系的脫氮作用
- 偶氮苯分子結構之研究
- Impact on W-Polycide Gated MOSFET with NO or ONO Gate Dielectric under Hot-Carrier Stress
- 利用低頻雜訊量測技術分析金氧半場效電晶體之閘極介電層缺陷
- 含銅亞硝酸還原酶及其生化擬態化合物之歷史回顧及展望
- 氮氧化技術在壓鑄工業上之應用與發展
- 具有均流控制之1MHz全橋諧振轉換器的研製
- 下世代功率元件市場趨勢
頁籤選單縮合
| 題 名 | Improved Performance and Reliability of MOSFETs with Ultrathin Gate Oxides Prepared by Novel Oxynitridation Technology=以新的氮,氧化技術改善金氧半場效電晶體閘極超薄氧化層之特性及可靠度 |
|---|---|
| 作 者 | 楊涵博; | 書刊名 | 和春學報 |
| 卷 期 | 3 1996.03[民85.03] |
| 頁 次 | 頁7-19 |
| 分類號 | 448.552 |
| 關鍵詞 | 氮; 氧化技術; 金氧半場效電晶體; 閘極超薄氧化層; Reliability; Oxynitridation; Dielectric; ROXNOX; Reoxidized nitrided oxides; FCA; Fixed-charge-anneal; Electron trap; Interface state; Trap; Charge trapping; TDDB; Time dependent dielectric breakdown; |
| 語 文 | 英文(English) |