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題 名 | Improved Performance and Reliability of MOSFETs with Ultrathin Gate Oxides Prepared by Novel Oxynitridation Technology=以新的氮,氧化技術改善金氧半場效電晶體閘極超薄氧化層之特性及可靠度 |
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作 者 | 楊涵博; | 書刊名 | 和春學報 |
卷 期 | 3 1996.03[民85.03] |
頁 次 | 頁7-19 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 氮; 氧化技術; 金氧半場效電晶體; 閘極超薄氧化層; Reliability; Oxynitridation; Dielectric; ROXNOX; Reoxidized nitrided oxides; FCA; Fixed-charge-anneal; Electron trap; Interface state; Trap; Charge trapping; TDDB; Time dependent dielectric breakdown; |
語 文 | 英文(English) |