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題名 | Improvement of Ultra-Thin Gate Oxide Reliability Using Fluorine and Nitrogen Implantation=利用氟與氮的離子佈植來改善超薄氧化層的可靠度 |
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作者 | 黃正權; 李建南; | 書刊名 | 亞東學報 |
卷期 | 26 民95.05 |
頁次 | 頁7-12 |
分類號 | 448.5 |
關鍵詞 | 氟與氮離子佈植; 超薄氧化層可靠度; 氟化與氮化氧化層; 電荷累積崩潰分布的面積效應; Fluorine and nitrogen implantation; Ultra-thin gate oxide integrity; Fluorinated; Nitrided oxide; Area dependence of charge-to-breakdown; |
語文 | 英文(English) |