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題 名 | Contactless Electroreflectance Modulation Spectroscopy of Zn Cd Se/ZnSe Multiple Quantum Wells=硒化鎘鋅/硒化鋅多層量子阱之無接點式電場反射係數調制譜線研究 |
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作 者 | 洪啟仲; 楊祝壽; 朱惠美; | 書刊名 | 中原學報 |
卷 期 | 29:1 2001.03[民90.03] |
頁 次 | 頁9-14 |
分類號 | 339.417 |
關鍵詞 | 無接點式電場反射係數; 調制譜線; 分子束磊晶法; 多層量子阱; 激子躍遷能量; 譜線設定; Contactless electroreflectance; CER; Modulation spectroscopy; Molecular beam epitaxy; MBE; Multiple quantum wells; MQWs; Exciton transition energy; The lineshape fitting; |
語 文 | 英文(English) |
中文摘要 | 利用無接點式電場反射偉、數(CER)調制譜線拉術 探討以分子采磊晶法(MBE)成長於神化錄基板上之喵 化鍋錚/硝化錚系列多層量子阱材料在溫度20K到 210K範圍內之光電特性,該系列的激子躍遷能量由明 化鋪錚/晒化錚多層量子阱阱寬分別為14Å' 25Å ' 50Å'及75Å之材料的CER譜線設定(fitting)而獲得。 該系列之激子躍遷能量的偏移值與基於一維量子阱模 型之理論計算結果非常吻合,最後結果顯示該系列之 激子躍還能量值隨溫度與阱寬的增加而減少。譜線設 定的細節提供有關明化鋪錚/喝化錚多層量子阱調制 譜線的重要訊息。 |
英文摘要 | Contactless e1ectroreflectance (CER) modulation spectroscopy have been used to study a Zn0.36CdO.14Se/ZnSe multiple quantum wells (MQWs) system grown by molecular beam epit axy (MBE) method on GaAs substrate in the temperature region from 20 K to 210 K.The exciton transition energies of this system are obtained by line shape fitting of CER spectra of ZnO.86Cdo.14Se/ZnSe m""ultiple quantum wells at well width 14 Å, 25λ,50 Å, and 75 Å.The energy shiftsof exciton transition energies of the system are in good agreement with a theoreti cal ca1culation based on one-dimensional quantum we11 model. lt is shown that the exciton transition energies of the system are decreased when the temperature and the width of quantum we11 increase. Details of the lineshape fit yield important information about the modulation spectroscopy of ZnO.86Cdo.14Se/ZnSe multiple quantum wells. |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。