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題名 | 以分子束磊晶法成長不同緩衝層ZnCdSe/ZnSe/ZnMgSSe單一量子井分開侷限異質結構之缺陷及光特性之探討= |
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作者 | 周世卿; 涂如欽; 蘇炎坤; |
期刊 | 物理雙月刊 |
出版日期 | 19980400 |
卷期 | 20:2 1998.04[民87.04] |
頁次 | 頁234-239 |
分類號 | 337.472 |
語文 | chi |
關鍵詞 | 分子束磊晶法; 量子井; 異質結構; |
中文摘要 | 利用分子束磊晶法( molecular beam epitaxy, MBE ),在 GaAs 基板上成長 ZnCdSe/ZnSe/ZnMgSSe 單一量子井分開侷限異質結構( Single-quantum-well separate-confinement heterostructure, SQW-SCH ),當分別使用 ZnSe,ZnSe/ZnSSe 應 力層超晶格( strained-layer superlasttices, SLS ),及 GaAs 作為緩衝層時,以穿透 式電子顯微鏡( transmission electron microscopy, TEM )及光激發光頻譜( photoluminescence, PL )來探討並比較其缺陷及光特性。其中,使用 ZnSe/ZnSSe SLS 或 GaAs 作為緩衝層時,其缺陷及光特性會比只使用 ZnSe 作為緩衝層時會有極大的改善。TEM 照片顯示, 通常 GaAs 基板在Ⅱ - Ⅳ成長腔氧化層脫附後會產生凹洞,然而這些凹洞會因 為使用 SLS 緩衝層而被填平成平滑的表面。而由 PL 光譜也可以看出,使用 SLS 當緩衝層 的 SQW-SCH 其室溫 PL 強度甚至比使用 GaAs 當緩衝層的 SQW-SCH 還強。而這可能是由於 Ⅱ - Ⅳ族和Ⅳ - Ⅴ族原子之間仍存在有不同的離子性所造成。 |
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