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題 名 | InGan-GaN Light Emitting Diodes Grown by Molecular Beam Epitaxy=分子束磊晶法成長InGaN-GaN發光二極體 |
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作 者 | 張慶安; 吳易座; 賴夆杰; 蔡嘉明; 洪明正; 吳承儒; 何晉國; 劉惠芬; 馮世維; 廖啟智; 楊志忠; | 書刊名 | Journal of the Chinese Institute of Electrical Engineering |
卷 期 | 7:3 2000.08[民89.08] |
頁 次 | 頁211-217 |
專 輯 | Electro-optical Engineering |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 發光二極體; 分子束磊晶法; InGaN; LED; MBE; |
語 文 | 英文(English) |