查詢結果分析
相關文獻
- 金氧半場效電晶體載子移動率之萃取與分析
- Characterization of Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor for Polypyrrole Prepared by Electrochemical Synthesis
- 功率型金氧半場效電晶體並聯之研究
- 高功率金氧半場效電晶體製程技術及發展趨勢
- 分子束磊晶技術之Ga[feaf]O[feb0](Gd[feaf]O[feb0])新成長法--首次展現金氧半場效電晶體(MOSFET)
- MOSFET的基體效應分析
- 次微米互補型金氧半場效電晶體匹配特性與製程因子的研究
- Improved Performance and Reliability of MOSFETs with Ultrathin Gate Oxides Prepared by Novel Oxynitridation Technology
- 臺灣地區人口遷移類型之空間特性分析(1979-1999)--兼論計畫之省思
- 溝槽式功率金氧半場效電晶體元件密度與近似飽和現象之探討
頁籤選單縮合
| 題 名 | 金氧半場效電晶體載子移動率之萃取與分析=A Study of Effective Carrier Mobility Extraction in MOSFETs |
|---|---|
| 作 者 | 石信揚; 陳勝利; 朱聖緣; 李世鴻; | 書刊名 | 大葉學報 |
| 卷 期 | 6:1 1997.12[民86.12] |
| 頁 次 | 頁37-46 |
| 分類號 | 448.552 |
| 關鍵詞 | 金氧半場效電晶體; 移動率; MOSFET; MOBILITY; |
| 語 文 | 中文(Chinese) |
| 中文摘要 | 本論文結合了兩個理論式:一個是精確的反轉層電荷密度;另一個是具物理意義兼具半經驗式的載子有效移動率式子,利用此二式並採用非線性最小平方最佳化技術,來吻合MOSFET汲極電流對閘極電壓特性曲線之實驗資料點,用以萃取出載子移動率。我們使用兩組尺寸不同的n-MOS元件來萃取載子移動率。其中一組固定通道寬度改變通道長度,另一組則相反;接著探討尺寸不同對於載子移動率的影響及其原因。 |
| 英文摘要 | In our study, we will extract the effect carrier mobility from the measured I-V data of MOSFET devices by applying the least square curve fitting optimization which combining a new theoretical model of inversion layer charge and a physically-based semi-empirical model on carrier mobility. Meanwhile, we will also discuss the dimension effects about the mobilities and the interface characteristic parameters. |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。