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- 題 名:
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- 卷 期:
7:1 1998.12[民87.12]
- 頁 次:
頁123-128
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
4:1 1995.12[民84.12]
- 頁 次:
頁117-129
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
2:1 1993.12[民82.12]
- 頁 次:
頁81-95
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
3:1 1994.12[民83.12]
- 頁 次:
頁151-164
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
7:2 2011.06[民100.06]
- 頁 次:
頁89-96
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- 題 名:
一種精準的MOSFET臨限電壓量測方法:A Novel Method for Determining the Threshold Voltage of MOSFET Devices
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
5:1 1996.12[民85.12]
- 頁 次:
頁171-177
- 題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
6:1 1997.12[民86.12]
- 頁 次:
頁27-35
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- 題 名:
金氧半場效電晶體載子移動率之萃取與分析:A Study of Effective Carrier Mobility Extraction in MOSFETs
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
6:1 1997.12[民86.12]
- 頁 次:
頁37-46
- 題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
5:3 2009.09[民98.09]
- 頁 次:
頁13-20
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
28:3 2009.04[民98.04]
- 頁 次:
頁19-31
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
3:1 2007.03[民96.03]
- 頁 次:
頁1-8
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
23 2009.02[民98.02]
- 頁 次:
頁101-110
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
4:4 2007.12[民96.12]
- 頁 次:
頁411-428