查詢結果分析
來源資料
相關文獻
- Optimization of Quarter Micron PMOSFETs for Halo Process
- 砷化鎵中熱載子的弛緩程序
- 半導體元件可靠度簡介--熱載子效應
- 利用低溫環境加速「熱載子注入」效應之可靠性測試
- 薄膜電晶體的熱載子效應
- 熱載子效應於矽鍺異質接面雙極性電晶體之射頻功率退化研究
- Impact on W-Polycide Gated MOSFET with NO or ONO Gate Dielectric under Hot-Carrier Stress
- 氧化銥輔助之表面電漿感應熱載子
- 絕緣層置於環型佈植區以提高互補式金屬氧化物半導體之性能
- 以改良式電荷汲引技術量測High-κ金氧半電晶體之邊緣陷阱縱深分布與通道接面可靠度分析
頁籤選單縮合
題名 | Optimization of Quarter Micron PMOSFETs for Halo Process |
---|---|
作者姓名(中文) | 黃琪聰; | 書刊名 | 南開學報 |
卷期 | 2 1997.06[民86.06] |
頁次 | 頁193-204 |
分類號 | 448.5 |
關鍵詞 | P型金氧半導體; 淺佈植; 環型佈植; 熱載子; LDD; PMOSFET; Halo; Hot carrier; |
語文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 關於 P 型金氧半導體環型佈植製程最佳化在此提出探討,許多不同的製程參數 如淺佈植劑量和環型佈植的劑量或能量被用來模擬以得到漏電流、飽和電流、導通電壓和基 底電流,一種決定淺佈植區域電阻的模型提出,藉由淺佈植區域電阻和汲極電流的分析,給 予高飽和電流、低漏電流的環型佈植的設計,為了減少熱載子效應,低基底電流也被考慮在 最佳化環型佈植的設計中。 |
英文摘要 | A case study of PMOSFETs halo process optimization is presented. With variations in the process parameters such as LDD dose and halo dose and energy were simulated to get leakage current, saturation current, threshod voltage a nd substrate crrent. A resistance model to determine the LDD resistance is pr oposed. By analyzing LDd resistance and drain current, a halo design to get h igh saturation current and low leakage current was given. To reduce the hot c arrier effect, how substrate current is considered to optimize the halo design. |
本系統之摘要資訊系依該期刊論文摘要之資訊為主。