您的瀏覽器不支援或未開啟JavaScript功能,將無法正常使用本系統,請開啟瀏覽器JavaScript功能,以利系統順利執行。
返回
/NclService/
快速連結
跳到主要內容
:::
首頁
關於本站
網站導覽
聯絡我們
國家圖書館
English
開啟查詢結果分析
查詢資訊
期刊論文索引(找篇目)
指令檢索
期刊指南(找期刊)
近代 (1853-1979年) 港澳華文期刊索引
漢學中心典藏大陸期刊論文索引
中國文化研究論文目錄
期刊瀏覽
檢索歷程
期刊授權
出版機構
公佈欄
常見問題
軟體工具下載
:::
首頁
>
查詢資訊
>
期刊論文索引查詢
>
詳目列表
查詢結果分析
來源資料
電子月刊
18:1=198 2012.01[民101.01]
頁136-153
相關文獻
以改良式電荷汲引技術量測High-κ金氧半電晶體之邊緣陷阱縱深分布與通道接面可靠度分析
具有不同界面層材料之奈米級高介電絕緣層互補金氧半場效應電晶體研究
以電荷汲引技術測量金氧半電晶體之High-k邊緣陷阱縱深及能量分佈與可靠度分析
頁籤選單縮合
基本資料
引用格式
國圖館藏目錄
全國期刊聯合目錄
勘誤回報
我要授權
匯出書目
題 名
以改良式電荷汲引技術量測High-κ金氧半電晶體之邊緣陷阱縱深分布與通道接面可靠度分析
作 者
呂君章
;
蔡輔桓
;
張廖貴術
;
書刊名
電子月刊
卷 期
18:1=198 2012.01[民101.01]
頁 次
頁136-153
分類號
448.552
關鍵詞
電荷汲引技術
;
邊緣陷阱
;
熱載子損傷
;
High-κ
;
語 文
中文(Chinese)
頁籤選單縮合
推文
引用網址
引用嵌入語法
Line
FB
Google bookmarks
本文的引用網址:
複製引用網址
本文的引用網址:
複製引用網址