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題 名 | 以電荷汲引技術測量金氧半電晶體之High-k邊緣陷阱縱深及能量分佈與可靠度分析 |
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作 者 | 呂君章; 張師誠; 張廖貴術; | 書刊名 | 電子月刊 |
卷 期 | 15:5=166 2009.05[民98.05] |
頁 次 | 頁141-153 |
專 輯 | 半導體元件專輯 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 高介電層; 電荷汲引; 邊緣陷阱; 可靠度; High-k dielectric; Charge pumping; Border trap; Reliability; |
語 文 | 中文(Chinese) |