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題 名 | 半導體元件可靠度簡介--熱載子效應=Semiconductor Device Reliability--Hot Carrier Effect |
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作 者 | 王泰和; | 書刊名 | 電腦與通訊 |
卷 期 | 62 1997.09[民86.09] |
頁 次 | 頁53-58 |
專 輯 | 積體電路設計專輯 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 熱載子效應; 介質崩潰時間; 電子遷移; 撞擊游離; 平均自由路徑; 能障; Hot carrier effect; Time dependent dielectric breakdown; TDDB; Electromigration; Impact lonization; Mean free path; Barrier height; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 半導體製程進入次微米時代時,因為元件愈來愈小, 熱載子效應也愈來愈顯著, 所以瞭解熱載子效應及如何預防是一個很重要的課題。未來隨著製程演進,將進入深次微米 ( 0.1 � m )時代,元件本身的設計,將是一個挑戰。 元件可靠度包括很多, 例如 ESD、Latch-up、 TDDB、 Hot-Carrier、Electromigration、 Soft Error 等,本文僅就熱載子效應做簡單的介紹。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。