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題名 | 次微米互補式金氧半積體電路之靜電放電防護--進階篇=ESD Protection for Submicron CMOS IC's--Recent Development |
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作者 | 柯明道; | 書刊名 | 電腦與通訊 |
卷期 | 52 1996.09[民85.09] |
頁次 | 頁84-96 |
分類號 | 448.57 |
關鍵詞 | 靜電放電; 靜電放電防護電路; 低電壓觸發矽控整流器; 驟回崩潰電壓; 防靜電放電佈植製程; 金屬矽化物擴散層分隔製程; 閘極耦合技術; Electrostatic discharge; ESD; ESD protection circuit; Low-voltage triggering SCR; LVTSCR; Snapback breakdown voltage; ESD-Implant process; Silicided-diffusion blocking process; Gate-couple technique; |
語文 | 中文(Chinese) |