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題 名 | 超低溫工作之MOS-微電阻之設計 |
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作 者 | 魏水根; | 書刊名 | 東南學報 |
卷 期 | 18 1995.12[民84.12] |
頁 次 | 頁1-15 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 紅外線影像產生器; V型槽微加工技術; 超低溫測試; 電阻; 熱輻射器; Infrared scene generator; V-grooved micromaching; Cryogenic test; Resistive heat radiator; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 在做追蹤器對目標靶之模擬測試過程中,吾人需要一個非常低噪訊之紅外 線背景影像,因此紅外線影像產生器必需工作在超低溫下工作(大約20°K左 右),MOS--微電阻陣列技術是一個已經成熟之技術,它可應用於動態紅外線 影像產生器。它在常溫(300°K)之特性,在前文中亦有討會。但是此陣列在 超低溫下工作時,可能會遭受到載子凍結,栓鎖效應,臨界電壓變化大和電子 飄移現象。因此本文目的即在設計一個新的MOS--微電阻陣列以適合超低溫下 工作。同時亦架設一個試驗設備以檢驗它在20°K下之工作特性。實驗結果證 實了所設計之正確與可行性。 |
英文摘要 | To provide very low background Infrared Image for Seeker-to-target simulation, The Infrared Scene generator must be capable of operation at cryogenic temperature (20 ° K), The MOS-resistor array was a well matured technology for dynamic Infrared Scene generator. Its behavior at room temperature was explored. But for the low temperature operation, it may be susceptible to carrier freeze out, latch up, threshold variation and electro-migration problems. The new design of a MOS-resistor array that is suitable for cryogenic operation was discussed here. A experimental set up was also designed to measure the behavior of MOS-resistor element at cryogenic temperature, which demonstrated the innovative feasibility of this research. |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。