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題名 | 矽光偵測器元件之製作與構裝 |
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作 者 | 雷國龍; 謝宗儒; 武東星; | 書刊名 | 光學工程 |
卷期 | 49 1995.03[民84.03] |
頁次 | 頁14-20 |
分類號 | 471.7 |
關鍵詞 | 矽光偵測器; 離子佈植; 元件構裝; |
語文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本文中討論矽光偵測器製程中不同植入離子對元件特性之影響,我們發氟化硼(BF2)植入之元件與硼(Boron)植入元件相較之下,其元件漏電大幅降低,對檢測用之大面積矽光偵測器(Effective Area=100mm2)在逆向偏壓30V下,其漏電流約為20nA,同時也探討了磊晶晶片厚度及高阻值晶片對元件光響應度大小之影響及其適用之光電產品。在光通訊之接收器方面,採用微球透鏡(Ball Lens)之構裝技術對元件光響應度特性有極佳之表現,而在大面積光檢測器應用中,除傳統之TO CAN封裝外,採用多樣性陶瓷基板之封裝技術將可提供不同光電系統之個別適用性。 |
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