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| 題 名 | 應用CO[feaf]雷射加熱準分子脈衝雷射濺鍍高溫超導薄膜之基板 |
|---|---|
| 作 者 | 李澄鈴; | 書刊名 | 聯合學報 |
| 卷 期 | 9 1992.11[民81.11] |
| 頁 次 | 頁329-339 |
| 分類號 | 472.16 |
| 關鍵詞 | 加熱; 脈衝; 高溫; 基板; 超導; 準分子; 雷射; 薄膜; 濺鍍; |
| 語 文 | 中文(Chinese) |
| 中文摘要 | 本文之目的乃在以準分子脈衝雷射濺鍍in-situ高溫超導薄膜時,以波長10.6um 的二氧化碳( CO �砥^雷射光束直接加熱欲被鍍之基板,突破傳統式電阻絲之基板加熱方法 。 實驗上發現在以基板溫度 550 ℃至 750 ℃、濺鍍時氧氣分壓 10 �揭� 1 Torr、 準分子雷 射之能量密度 0.3J/cm �插� 5.8J/cm �斯奶妤囓韝U,幾乎完全 C-axis 指向,Tco=90K 之 高品質 YBa �� Cu �� O �握孜W導薄膜,可以極高效率 in-situ 長在 SrTiO �偽簹O上,此 種基板加熱法是捨棄傳統的電阻式加熱方法,以避免真空腔於高溫下所可能產生之污染。經 實驗發現利用此方法, 在濺鍍完成以後,關掉 CO �笆p射,高品質的薄膜可以從 600 ℃的 高溫在 50 秒內快速冷卻至室溫,而不須在高氧氣分壓下緩慢冷卻或其他熱處理等後續製程 ,此種有效率而又簡便的鍍膜法,對未來製作電子元件將有很大的實用性。 |
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