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來源資料
電子月刊
20:3=224 2014.03[民103.03]
頁112-119
相關文獻
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題 名
應用氧化鉿/氮化矽堆疊式電荷儲存層改進無接面式快閃記憶體元件的抹除速度
作 者
諶俊元
;
張廖貴術
;
葉宗浩
;
王天戈
;
書刊名
電子月刊
卷 期
20:3=224 2014.03[民103.03]
頁 次
頁112-119
專 輯
半導體與光電製程設備專輯
分類號
471.6511
關鍵詞
複晶矽
;
無接面
;
電荷儲存
;
氧化鉿
;
氮化矽
;
高介電常數
;
快閃記憶體
;
語 文
中文(Chinese)
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