您的瀏覽器不支援或未開啟JavaScript功能,將無法正常使用本系統,請開啟瀏覽器JavaScript功能,以利系統順利執行。
返回
/NclService/
快速連結
跳到主要內容
:::
首頁
關於本站
網站導覽
聯絡我們
國家圖書館
English
開啟查詢結果分析
查詢資訊
期刊論文索引(找篇目)
期刊指南(找期刊)
近代 (1853-1979年) 港澳華文期刊索引
漢學中心典藏大陸期刊論文索引
中國文化研究論文目錄
期刊瀏覽
檢索歷程
期刊授權
出版機構
公佈欄
常見問題
軟體工具下載
:::
首頁
>
查詢資訊
>
期刊論文索引查詢
>
詳目列表
查詢結果分析
來源資料
電子月刊
14:5=154 2008.05[民97.05]
頁136-150
相關文獻
快閃記憶體之操作原理與高介電係數材料之應用
電荷捕捉式快閃記憶體元件陷阱層之設計與製程研究
小型HDD的快閃記憶體
p型通道快閃記憶體之崛起與未來發展--從p型快閃記憶元件物理剖析
P型快閃記憶體寫入效率之探討
通訊網路產業高度發展的新貴族--快閃記憶體(Flash)
Flash Memory市場概況
電子零組件製造業--快閃記憶體製造
電力及電子機械器材製造修配業--快閃記憶體
快閃記憶體(Flash)
頁籤選單縮合
基本資料
引用格式
國圖館藏目錄
全國期刊聯合目錄
勘誤回報
我要授權
匯出書目
題名
快閃記憶體之操作原理與高介電係數材料之應用
作者
蔡秉宏
;
張廖貴術
;
劉注雍
;
王炳琨
;
書刊名
電子月刊
卷期
14:5=154 2008.05[民97.05]
頁次
頁136-150
專輯
半導體元件專輯
分類號
448.552
關鍵詞
快閃記憶體
;
高介電係數材料
;
Floating gate結構
;
SONOS結構
;
堆疊式穿隧氧化層
;
高介電係數電荷儲存層
;
語文
中文(Chinese)
頁籤選單縮合
推文
引用網址
引用嵌入語法
Line
FB
Google bookmarks
本文的引用網址:
複製引用網址
本文的引用網址:
複製引用網址