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題 名 | 高介電係數材料與多晶矽奈米線之非揮發性記憶體應用在三維快閃記憶體與顯示面板=High-k Materials and Poly-Si Nanowires in Nonvolatile Memory for 3D Flash Memory and Display Panel Applications |
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作 者 | 吳永俊; 洪敏峰; 陳江宏; 陳稐寯; 蔣季宏; 唐紫橒; 田舜丞; | 書刊名 | 奈米通訊 |
卷 期 | 18:1 2011.03[民100.03] |
頁 次 | 頁12-17 |
分類號 | 471.6511 |
關鍵詞 | Pi型閘極; 奈米線; 多晶矽-氧化矽-氮化矽-氧化矽-矽; 氮化鉭-氧化鋁-氮化矽-氧化矽-矽; 非揮發性記憶體; 2位元; 氧化鉿; Pi-gate; Nanowire; NW; SONOS; TaN-Al₂O₃-Si₃N₄-SiO₂-Si; TANOS; Nonvolatile memory; NVM; Two-bit; HfO₂; |
語 文 | 中文(Chinese) |