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題名 | 半導體材料矽之浮帶純化及單結晶製造 |
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作 者 | 陸志鴻; 莊為仁; | 書刊名 | 材料科學 |
卷期 | 2:2 1970.06[民59.06] |
頁次 | 頁107-112 |
關鍵詞 | 半導體材料; 矽; 浮帶; 純化; 單結晶; 製造; |
語文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本試驗就矽之多結晶棒用浮帶鎔解法 (floating-zone melting) 製成超高純度之單結晶技術研究之。用浮帶鎔解法將高純度多結晶矽棒試樣製成10個9以上之超高純度多結晶矽棒,然後再用浮帶鎔解法製成單結晶矽棒。 浮帶鎔解及舉結晶製造之技術在國內尚少著手試驗者。此種技術當實施時有不少困難之點須待解決,有賴於經驗與技巧者頗多。本研究之目的故學習此種經驗與技巧為主。矽半導體材料之製造較鍺半導體者更不簡單。本研究乃矽半導體材料製造技術之初步試驗,本文即為此初步試驗之初步報告。 |
英文摘要 | The techniques of floating-zone refining and undoped single crystal growing of the silicon polycrystalline ingot are studied. This is a preliminary report. |
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