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題 名 | 半導體材料矽之工業製造法研究(1)--SiHcl[feb0](Trichlorosilane)液之製造 |
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作 者 | 陸志鴻; 莊為仁; | 書刊名 | 材料科學 |
卷 期 | 6:3 1974.09[民63.09] |
頁 次 | 頁116-124 |
關鍵詞 | 工業; 半導體材料; 矽; 製造; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本研究試驗依照各國最廣用之矽半導體材料之工業的製造方法部先將工業用矽 (98~99% Si) 與無水HCl氣體相反應而製成粗製SiHCl3液 (此為第1段過程) ,然後將粗製SiHCl3液蒸餾而得純SiHCl3蒸氣,以純氫氣還原而得高純度之多結晶矽棒 (此為第2段過程)。本報告僅就第1段過程即製造SiHCl3液之技術研究結果作詳細之敘述。 據本研究試驗結果,則工業用矽與無水HCl氣體之反應溫度以370℃為最佳,無水HCl氣體之流速以55l/hr附近 (即HCl氣體流速與氧氣流速相同時) 為最適宜,如此可得最多產量之SiHCl3液,且其純度亦最高。所用裝置上各玻璃栓塞均須用teflon製成,玻璃管之接合部皆須加入teflon填片。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。