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題名 | 射頻絕緣層上矽元件在動態臨界電壓模式下的溫度效應研究=Temperature-Dependent RF Characteristics of SOI Dynamic Threshold Voltage MOSFETs |
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作者姓名(中文) | 王生圳; 蘇彬; 陳坤明; 黃國威; | 書刊名 | 奈米通訊 |
卷期 | 19:3 2012.09[民101.09] |
頁次 | 頁15-22 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 動態臨界電壓金氧半場效電晶體; 高頻雜訊; 高頻小訊號; 絕緣層上矽; 溫度相依; Dynamic threshold-voltage MOSFET; High-frequency noise; High-frequency small-signal; Silicon-on-insulator; Temperature dependence; |
語文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本文將探討SOI 動態臨界電壓金氧半場效電晶體(SOI DT MOSFET)的射頻小訊號與雜訊特性,以及其與溫度相依的行為表現。在低操作偏壓下,該元件的截止頻率與最大振盪頻率都呈現隨溫度上升而增加的趨勢。再者,實驗結果發現,DT MOSFET 的基底寄生元件與各端點串聯電阻對於最大振盪頻率的影響,將比對截止頻率的影響來得顯著。此外,基底寄生電阻所產生的熱雜訊電流可能對輸出雜訊有著顯著的貢獻,因而劣化元件的最小雜訊指數。最後,本研究成果對於SOI DT MOSFET 之射頻電路來說,亦提供了重要的設計參考與依據。 |
英文摘要 | In this study, temperature-dependent RF small-signal and noise characteristics of SOI dynamic threshold voltage (DT) MOSFETs are experimentally examined. In the low voltage regime, both the cut-off and maximum oscillation frequencies ( ft and fmax ) tend to increase with temperature. In addition, the inherent body-related parasitics and the series resistance have much more impact on fmax than ft. Besides, we found that the noise stemmed from the body resistance ( Rb ) would contribute to the output noise current, and degrade the minimum noise figure ( NFmin ). Our study may provide insights for RF circuit design using advanced SOI DT MOSFETs. |
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