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| 題 名 | 利用I-line雙重微影成像法製作多晶矽鰭式場效電晶體(FinFET)=Fabrication of Poly-Si FinFETs with I-line Double Patterning Technique |
|---|---|
| 作 者 | 周涵宇; 林政頤; 林鴻志; 黃調元; | 書刊名 | 奈米通訊 |
| 卷 期 | 19:2 2012.06[民101.06] |
| 頁 次 | 頁11-14 |
| 分類號 | 448.552 |
| 關鍵詞 | 鰭式場效電晶體; 雙重微影成像法; 多晶矽; Fin-type field effect transistor; FinFET; Double patterning technique; Polycrystalline silicon; Poly-Si; |
| 語 文 | 中文(Chinese) |