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來源資料
新新科技年刊
10 2014.01[民103.01]
頁234-242
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題名
高功率密度射頻應用之氮化鎵高電子遷移率電晶體技術之研究=GaN HEMT for High Power Density of RF Applications
作者
李清源
;
蔡藎芝
;
張慈
;
廖笙佑
;
任樹森
;
古登傑
;
張翼
;
書刊名
新新科技年刊
卷期
10 2014.01[民103.01]
頁次
頁234-242
專輯
電子電機
分類號
448.552
關鍵詞
氮化鎵
;
高電子遷移率電晶體
;
碳化矽
;
磊晶
;
功率元件
;
GaN
;
HEMT
;
SiC
;
Epitaxy
;
Power device
;
語文
中文(Chinese)
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