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來源資料
新新科技年刊
5 2009.01[民98.01]
頁211-219
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題 名
氮化鎵高頻高功率元件之研究與應用=The Development of AlGaN/GaN HEMT Device for High Frequency High Power Application
作 者
洪國洋
;
張慈
;
洪寶貴
;
張翼
;
黃瑞乾
;
書刊名
新新科技年刊
卷 期
5 2009.01[民98.01]
頁 次
頁211-219
分類號
448.533
關鍵詞
氮化鎵
;
功率元件
;
分子束磊晶
;
有機金屬氣相沉積
;
GaN
;
Power HEMT
;
MBE
;
MOCVD
;
語 文
中文(Chinese)
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