題 名 |
功率半導體用碳化矽(SiC)磊晶矽晶圓之動向
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作 者 |
吳偉琳;
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書刊名 |
電子月刊 |
卷 期 |
17:4=189 2011.04[民100.04]
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頁 次 |
頁120-126 |
分類號 |
448.552 |
關鍵詞 |
功率半導體;
功率元件;
碳化矽;
磊晶晶圓;
SiC;
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語 文 |
中文(Chinese) |
中文摘要 |
以落實碳化矽功率半導體的實用化為主要目的,使用直徑4吋矽晶圓偏軸角4度的矽基板開發量產技術。目前,因為基板結晶上的缺陷降低,加上各種磊晶成長條件與研磨技術的最佳化,使得表面平滑性良好,而且基板錯位也受到抑制,所以對於具有良好均一性的磊晶晶圓的開發更是成功。 |