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題 名 | 用於薄膜太陽能電池之低溫大晶粒多晶矽薄膜 |
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作 者 | 翁敏航; 黃健瑋; 潘正堂; 楊茹媛; | 書刊名 | 電子月刊 |
卷 期 | 18:6=203 2012.06[民101.06] |
頁 次 | 頁196-207 |
分類號 | 468.1 |
關鍵詞 | 鋁金屬誘發; 多晶矽; 大晶粒; 低溫製程; 阻障層; 薄膜太陽能電池; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 多晶矽薄膜(Polycrystalline silicon)近年來常被應用於光電元件上,特別在薄膜太陽能電池中,需要能夠同時達到大晶粒、大面積及低溫製程等訴求之多晶矽製程技術。在本文中,我們將介紹金屬誘發多晶矽製程之基本原理與以及誘發機制,並透過實驗瞭解:在350℃低溫下鋁金屬誘發多晶矽製程對結晶微結構、結晶尺寸、結晶比例、載子移動率與反射率之影響。最後由實驗發現:藉由一擴氮化矽SiNx擴散阻障層之引入,可以同時降低誘發後的鋁金屬殘存與獲得大結晶尺寸。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。