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題名 | 高良率雷射剝離技術於高功率氮化鎵發光二極體之應用 |
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作 者 | 林瑞欽; 莊秉翰; 高偉呈; 洪瑞華; 武東星; | 書刊名 | 電子月刊 |
卷期 | 17:11=196 2011.11[民100.11] |
頁次 | 頁130-138 |
專輯 | 半導體光電技術專輯 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 雷射剝離技術; 藍寶石; 氧化鎵; 發光二極體; |
語文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本研究主要是利用Nd-YAG雷射,將氮化鎵磊晶膜從藍寶石基板剝離,調整適當的雷射剝離參數,並搭配具高反射鏡面、雙面粗化技術以及晶圓貼合技術製作出以矽為基板之薄GaN發光二極體;雷射光束直徑為1 mm,能量密度為96 mJ/cm2,掃瞄速率0.27 mm/s,可將氮化鎵薄膜與藍寶石基板介面的氮化鎵分解成氮氣和鎵金屬,成功的從藍寶石基板剝離,並且不會對氮化鎵薄膜造成傷害;經雷射分解後,殘留在氮化鎵薄膜上的鎵金屬則以稀鹽酸去除,最後再使用濃度為4M的KOH溶液進行氮化鎵薄膜表面粗化,以提高元件出光率;完成之兩吋的Thin GaN 發光二極體,經由發光功率以及偏壓點測後,良率分別為97.9%及96.9%;完成封裝之Thin GaN LED元件在注入電流350 mA的輸出功率與發光效率分別為360 mW及22.28%,具有良好的光電特性。 |
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