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題名 | 多晶型6H-SiC晶體成長之研究=The Study of 6H-SiC Poly-type Crystal Growth |
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作 者 | 錢韋至; | 書刊名 | 遠東學報 |
卷期 | 28:2 2011.06[民100.06] |
頁次 | 頁139-143 |
分類號 | 448.533 |
關鍵詞 | 碳化矽; 昇華; 多晶態; 物理氣相傳輸; SiC; Sublimation; Physical vapor transport; PVT; Polytype; |
語文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本文擬以物理氣相傳輸法,以碳化矽固態源昇華方式藉由質量傳輸,製作多晶態之碳化矽晶體,並配合碳化矽之平衡相圖,從事碳化矽晶體成長溫度與多晶態間之晶體成長研究,與光、電元件應用。於碳化矽晶體之成長溫度與多晶態研究方面,我們將以X光繞射儀,由X光繞射光譜解析晶體成長特性與品質,此定量研究結果將決定昇華溫度之質量傳輸作用,對於碳化矽晶體成長之實驗值極有幫助。於光電元件應用方面,研究碳化矽晶體基本特性之分析,建立碳化矽基板與基本傳導性質。進而達成以下之基板特性:半絕緣或低電阻係數(<0.12Ω‧cm for n type)、低表面粗糙度(<1.5 nm)、低缺陷密度(<250 pits/cm-2 of micropipe density),以符合現行光電產業所需之磊晶基板標準。 |
英文摘要 | This paper proposes a method to prepare the SiC poly-type crystal using physical vapor transport (PVT). This method is used mass transport to sublimate the high purity SiC solid source. To verify the poly-type SiC crystal growth, the equilibrium diagram of SiC is used. This study is realized the relationship between the temperature of SiC crystal growth for optical and electric device applications. Thus, this study is achieved the current standard of the substrate requirement. |
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