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來源資料
Far East Journal of Electrical Engineering
1 2009.01[民98.01]
頁29-31
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題 名
6H-SiC多型晶體製作
作 者
錢韋至
;
邱明誠
;
王順記
;
王上勻
;
吳仁輔
;
方曉鴻
;
陳彥廷
;
書刊名
Far East Journal of Electrical Engineering
卷 期
1 2009.01[民98.01]
頁 次
頁29-31
分類號
448.533
關鍵詞
碳化矽
;
昇華
;
多晶態
;
物理氣相傳輸
;
語 文
中文(Chinese)
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